Поиск по сайту
Не нашли нужную работу? Закажи реферат, курсовую, диплом на заказ реферат на тему: Элементная база радиоэлектронной аппаратуры-1УПИ УГТУ R=,Ом70 R16050 403020 10 R800,10,20,30,40,50,60,7 U10,80,91,01,1 U8Uпр,В Зависимость сопротивления переменному току r~ от прямого напряжения Uпр: r~,Ом10987 65 432 1 00,10,20,30,40,50,60,7 U10,80,91,01,1 U7Uпр,В Зависимость тока Iобр от обратного напряжения Uобр: Iобр,мкА5,0 I74,54,03,53,02,5 2,01,51,0 0,5 I10510152025303540 U14550 U7Uоб,В I1 = 0,25 мкА, U1 = 37 В, R1 = U1 / I1 = 37 / 0,25 мкА = 148 МОм I2 = 0,50 мкА, U2 = 40 В, R2 = U2 / I2 = 40 / 0,50 мкА = 80 МОм I3 = 1,00 мкА, U3 = 42 В, R3 = U3 / I3 = 42 / 1,00 мкА = 42 МОм I4 = 2,00 мкА, U4 = 44 В, R4 = U4 / I4 = 44 / 2,00 мкА = 22 МОм I5 = 3,00 мкА, U5 = 46 В, R5 = U5 / I5 = 46 / 3,00 мкА = 15,3 МОм I6 = 4,00 мкА, U6 = 48 В, R6 = U6 / I6 = 48 / 4,00 мкА = 12 МОм I7 = 5,00 мкА, U7 = 50 В, R7 = U7 / I7 = 50 / 5,00 мкА = 10 МОм ДI1 = 0,25 мкА, ДU1 = 3 В, r1 = ДU1 / ДI1 = 3 / 0,25 мкА = 12 МОм ДI2 = 0,50 мкА, ДU2 = 2 В, r2 = ДU2 / ДI2 = 2 / 0,50 мкА = 4 МОм ДI3 = 1,00 мкА, ДU3 = 2 В, r3 = ДU3 / ДI3 = 2 / 1,00 мкА = 2 МОм ДI4 = 1,00 мкА, ДU4 = 2 В, r4 = ДU4 / ДI4 = 2 / 1,00 мкА = 2 МОм ДI5 = 1,00 мкА, ДU5 = 2 В, r5 = ДU5 / ДI5 = 2 / 1,00 мкА = 2 МОм ДI6 = 1,00 мкА, ДU6 = 2 В, r6 = ДU6 / ДI6 = 2 / 1,00 мкА = 2 МОм Зависимость сопротивления постоянному току R= от обратного напряжения Uобр: R=, МОм160140120100 806040 20 0510152025303540 U14550 U7Uоб,В Зависимость сопротивления переменному току r~ от обратного напряжения Uобр: r~, МОм1210 864 2 0510152025303540 U14550 U7Uоб,В 2) График зависимости ёмкость Собр от обратного напряжения: Сд, пФ4321 020406080UобрВ Определение величин температурных коэффициентов. Определим графически из семейства вольтамперных характеристик величины температурных коэффициентов ТКUпр и ТКIобр. Iпр,мА200 16012080 4000,20,40,60,81,0 1,2 U11,41,6 U2Uпр,В I = 200 мА, U1= 1,5 B, U2= 1,1 B, T1= 298 K, T2= 213 K Iобр,мкА 150 I2125100755025 I1010203040 50 U60UобрВ U = 50 B, I1= 5 мкА, I2= 150 мкА, Т1= 298 К, Т2= 398 К Определение сопротивления базы. Величина сопротивления базы rб оценивается по наклону прямой ветви ВАХ при больших токах (Т=298К): Iпр,мА500 I2400300200 I110000,20,40,60,81,0 1,2 Uпр,В Тепловой потенциал: По вольтамперной характеристике определяем: U1 = 1,1 В, U2 = 1,2 В, I1 = 200 мА, I2 = 500 мА Малосигнальная высокочастотная схема диода и величины её элементов. Малосигнальная высокочастотная схема диода при обратном смещении: Величины элементов схемы при Uобр = 5 В : Библиографический список. 1) “Электронные приборы: учебник для вузов” Дулин В.Н., Аваев Н.А., Демин В.П. под ред. Шишкина Г.Г. ; Энергоатомиздат, 1989 г.. 2) Батушев В.А. “ Электронные приборы: учебник для вузов”; М.: Высш.шк., 1980г. 3) Справочник “ Полупроводниковые приборы: диоды, тиристоры, оптоэлектронные приборы”; М.: Энергоатомиздат, 1987г.. скачать реферат 1 2 Не нашли нужную работу? Закажи реферат, курсовую, диплом на заказ Внимание! Студенческий отдых и мегатусовка после сессии!
Рефераты и/или содержимое рефератов предназначено исключительно для ознакомления, без целей коммерческого использования. Все права в отношении рефератов и/или содержимого рефератов принадлежат их законным правообладателям. Любое их использование возможно лишь с согласия законных правообладателей. Администрация сайта не несет ответственности за возможный вред и/или убытки, возникшие или полученные в связи с использованием рефератов и/или содержимого рефератов.
|
Обратная связь. |