 |
 |
 |
 |
 |
 |
Диссертации на заказ
дипломы на заказ
рефераты на заказ
Форум
Наш партнёр:
ChangePoint.Ru -
Обмен WebMoney в Израиле
Не нашли нужную работу? Закажи реферат, курсовую, диплом на заказ
скачать реферат
Реферат по предмету
«Технологические основы электроники»
1. Изобразить и описать последовательность формирования изолированных областей в структуре с диэлектрической изоляцией
Рис. 1. Последовательность формирования изолированных областей в структуре с диэлектрической изоляцией:
а исходная пластина; б избирательное травление окисла, глубокое травление кремния, окисление поверхности; в осаждение поликристаллического кремния; г шлифование и полирование обратной стороны пластины; д окисление поверхности; е готовая структура после базовой и эмиттерной диффузии и получения межсоединений
На рис.1 представлена последовательность формирования структуры с диэлектрической изоляцией. В исходной пластине кремния n-типа методом фотолитографии вытравливают участки окиси кремния, а затем и кремния по контуру будущих элементов. В результате образуются канавки по замкнутому контуру. Полученную рельефную поверхность окисляют. Далее эту поверхность покрывают толстым слоем кремния методом осаждения. Вследствие дезориентирующего влияния окисного слоя осажденный кремний имеет поликристаллическую структуру и служит конструкционным основанием будущей ИМС. Обратную сторону шлифуют, удаляя монокристаллический слой до вскрытия окиси кремния по границам областей, и производят доводку (для удаления нарушенного слоя). После протравливания и отмывки поверхности ее окисляют. Далее в образовавшихся изолированных областях монокристаллического кремния n-типа диффузионным методом формируют элементы (базовые области, резисторы, эмиттеры, области под контакты). Обычным путем получают и межсоединения на поверхности пластины. Если исходная пластина содержит эпитаксиальный n+-слой, то транзисторы получаются со скрытым слоем.
2. Изобразить схему технологического процесса изготовления ИМС эпитаксиально-планарной структуры без скрытого слоя.
Рис. 2. Последовательность формирования эпитаксиально-планарной структуры:
аисходная пластина; бстравливание окисла, подготовка поверхности; вэпитаксиальное наращивание n-слоя, окисление поверхности; гвскрытие окон в окисле под изолирующую (разделительную) диффузию примеси; д диффузия акцепторной примеси, окисление поверхности; е готовая структура после формирования диффузионных базовых и эмиттерных областей, а также получения межсоединений
Чтобы получить простейшую эпитаксиально-планарную структуру, в качестве исходной заготовки используют монокристаллическую пластину кремния, равномерно легированную акцепторной примесью. Для нанесения эпитаксиального слоя на одну из сторон пластины ее освобождают от окисла и тщательно очищают (рис.2), после чего проводят осаждение монокристаллического слоя кремния n-типа. Далее поверхность пластины окисляют и методом фотолитографии вскрывают окна в виде узких замкнутых дорожек, соответствующих контуру коллекторных и изолирующих областей ПМС. Проводя через окна диффузию акцепторной примеси до смыкания ее с р-областью, получают таким образом изолированные друг от друга островки равномерно легированного эпитаксиального n-кремния. Рассмотренный процесс диффузии называют изолирующей или разделительной диффузией. В полученной на данной стадии заготовке (рис. 2,д) в дальнейшем формируют базовые и эмиттерные области (диффузионным методом), а также контакты и межсоединения.
3. Каким образом осуществляется изоляция в изопланарной структуре
Рис. 3 Последовательность формирования изолированных областей
в изопланарной структуре:
Не нашли нужную работу? Закажи реферат, курсовую, диплом на заказ
На рис. 3,е представлена изопланарная структура транзистора, в которой донная часть 2 коллектора изолирована от монокристаллической пластины р-n-переходом, а боковая 1 толстым слоем окисла, полученным сквозным локальным окислением эпитаксиального слоя. Начальные стадии процесса получения изопланарной структуры следующие (рис. 3). На поверхность пластины, содержащей эпитаксиальные n+- и n-слои, осаждают (из газовой фазы) слой нитрида кремния Si3N4. Методом фотолитографии в этом слое образуют защитную маску с окнами по контуру коллекторных областей. В процессе окисления нитридная маска сохраняется. Затем ее стравливают и всю поверхность окисляют. Далее проводят диффузию для формирования базы и эмиттера, формируют контактные окна и межсоединения. 4. Используется ли эпитаксия при создании КМДП-структуры Полная изоляция МДП-транзисторов обеспечивается при формировании их в виде островков на монокристаллической изолирующей пластине. В качестве изолирующей пластины обычно используют синтетический сапфир, имеющий достаточно хорошее кристаллографическое сопряжение с кремнием. Поэтому эти структуры получили название структур «кремний на сапфире» или сокращенно КНС. Эпитаксиально выращенный на сапфире кремний имеет высокую плотность структурных нарушений (дислокации), что заметно снижает подвижность носителей заряда. Вследствие этого структуры на биполярных транзисторах оказались не эффективными и наиболее широкое применение нашли МДП-КНС-структуры, особенно КМПД-КНС-структуры. В отличие от структур, изолированных р-n-переходом, когда используется высокоомная (слаболегированная) пластина, структуры на изолирующей пластине устойчивы к температурным и радиационным воздействиям.
Рис. 4 Последовательность формирования КМДП-КНС-структуры: аисходная пластина «сапфирэпитаксиальный кремнийокись кремния»; бизбирательное анизотропное травление кремния с помощью оксидной маски (образование островков); визбирательная диффузия акцепторной примеси; г снятие маски с островков; д маскирование островков с помощью SiO2; е избирательное покрытие фосфорсиликатным стеклом (ФСС) р-островков и общее покрытие боросиликатным стеклом (БСС); ж структура после диффузии примесей и стравливания БСС, ФСС и SiO2, з готовая структура после нанесения SiO2 и формирования межсоединений
В процессе формирования КМДП-КНС-структуры (рис. 4) методом эпитаксиального наращивания (процесс гетероэпитаксии) создают сплошной слой высокоомного п-Si. После маскирования окисью кремния и анизотропного травления получают отдельные изолированные островки п-Si. Проведя повторное маскирование окисью кремния, методом диффузии часть островков легируют акцепторной примесью на всю глубину, превращая их в островки р- Si. Предварительно защитив маской из окиси кремния участки будущих каналов, избирательно покрывают р-островки фосфоро-силикатным (SiO2.P2O5), а n-островки боросиликатным (SiO2.B2O3) стеклами. Последующим нагревом диффундируют до-норную (Р) и акцепторную (В) примеси из легированных стекол в области стоков и истоков. В дальнейшем стекло и участки SiO2 стравливают, наносят слой окиси кремния, вытравливают участки окисла под затвор,
скачать реферат
1 2 3 4 ... последняя
Не нашли нужную работу? Закажи реферат, курсовую, диплом на заказ
Внимание! Студенческий отдых и мегатусовка после сессии!