Рефераты / Схемотехника /

Не нашли нужную работу? Закажи реферат, курсовую, диплом на заказ

коллекторе открытого транзистора VT2 = 0,2 В и падения напряжения на коллекторном переходе транзистора VT3 = 0,7 В. Напряжение Uб = 0,2 + 0,7 = 0,9 В. Потенциал в точке D напряжение Ud = 0,2 В. (Напряжения на коллекторном переходе открытого эмиттерного перехода VT4 ).

2.4.3. Любая иная комбинация.

При подачи на вход любой другой комбинации содержащей любое количество нулей и единицу (исключая комбинацию 1111) приведет к ситуации аналогичной п.3.2.1.

2.5. Расчет токов.

2.5.1 Комбинация 0000.

2.5.2 Комбинация 1111.

2.6. Расчет мощности рассеиваемой на резисторах.

2.6.1 Комбинация 0000.

PR1 = IR1 U R1 = 1,025 (5-0,9)=4,2 мВт

PR2 = IR2 U R2 = 0 мВт

PR3 = IR3 U R3 = 0 мВт

2.6.2 Комбинация 1111.

PR1 = IR1 U R1 = 0,55 (5-2,8) = 1,21 мВт

PR2 = IR2 U R2 = 2,05 (5-0,9) = 8,405 мВт

PR3 = IR3 U R3 = 0,38 0,7 = 0,266 мВт

Сведем расчеты в таблицу. Х1Х2Х3Х4UaUбUcUdIR1IR2IR3PR1PR2PR300000,9504,11,025004,20011112,80,90,70,20,552,050,381,218,40,2600110,9504,11,025004,200

Ч а с т ь 3

3. Разработка топологии ГИМС.

В конструктивном отношении гибридная ИМС представляет собой заключенную в корпус плату (диэлектрическую или металлическую с изоляционным покрытием), на поверхности которой сформированы пленочные элементы и смонтированы компоненты. В качестве подложки ГИМС используем подложку из ситала, 9-го типоразмера имеющего геометрические размеры: 10х12 мм (см[2] стр.171; табл. 4.6). Топологический чертеж ГИМС выполним в масштабе 10:1.

3.1. Расчет пассивных элементов ГИМС.

Для заданной схемы требуется 3 резистора следующих номинальных значений: R1 = 4 кОм R2 = 2 кОм R3 = 1,8 кОм

Сопротивление резистора определяется по формуле: , где: RS - удельное поверхностное сопротивление материала. - длина резистора. b - ширина резистора.

Для изготовления резисторов возьмем пасту ПР - ЛС имеющую RS =1 кОм.

Тогда: =2 мм b = 0,5 мм

R1 = 1000 ( 2 / 0,5 ) = 4 кОм

=1 мм b = 0,5 мм

R2 = 1000 ( 1 / 0,5 ) = 2 кОм

=2,25 мм b = 1,25 мм

R3 = 1000 ( 2,25 / 1,25 ) = 1,8 кОм

Сведем результаты в таблицу.

Номиналы резисторов кОм. Материал резистора. Материал контакта площадок.Удельное сопротивление поверхности RS, (Ом/ )Удельная мощность рассеивания (P0, Вт/см2).Способ напыления пленок. - длина резистора. (мм).B - ширина резистора. (мм).4ПАСТА ПР-1КПАСТА ПП-1К10003Сетно-графия20,52ПАСТА ПР-1КПАСТА ПП-1К10003Сетно-графия10,51,8ПАСТА ПР-1КПАСТА ПП-1К10003Сетно-графия2,251,253.2. Подбор навесных элементов ГИМС.

Для данной схемы требуется:

1) один 4-х эмиттерный транзистор. 2) три транзистора n-p-n. 3) два диода.

Геометрические размеры навесных элементов должны быть соизмеримы с размерами пассивных элементов:

1) В качестве 4-х эмиттерного транзистора использован транзистор с геометрическими размерами 1х4 мм и расположением выводов как на рис.1.

2) В качестве транзистора n-p-n используем транзистор КТ331.

Эксплутационные данные: Umax кэ = 15 В Umax бэ = 3 В I к max = 20 мА

3) В качестве диодов использован диод 2Д910А-1

Эксплутационные данные: Uоб р = 5 В Iпр = 10 мА

Проверим удовлетворяет ли мощность рассеивания на резисторах максимальной мощности рассеивания для материала из которого изготовлены
Не нашли нужную работу? Закажи реферат, курсовую, диплом на заказ