Поиск по сайту
Не нашли нужную работу? Закажи реферат, курсовую, диплом на заказ реферат на тему: Сканирующая зондовая микроскопияСодержание
Содержание 1
1.ВВЕДЕНИЕ. 2
2.ОСНОВНАЯ ЧАСТЬ. 2
2.1 Что такое сканирующая зондовая микроскопия. 2
2.2 Современные методы исследований СЗМ. 5
2.2.1 Методики СТМ. 5
2.2.1.1 Объекты исследования. 6
2.2.1.2 Режимы работы СТМ. 7
Режим топографии (I=сопst). 7
Режим регистрации тока (Z=const). 7
Режим ошибки обратной связи (FВ-еrrоr). 8
2.2.2 Методики ССМ . 8
2.2.2.1 Контактный режим. 9
Силы, действующие между кантилевером и образцом 10
2.2.2.2 Топография поверхности (режим постоянной 11 силы)
2.2.2.3 Режим снятия изображения сил. 15
2.2.2.4 Режим регистрации ошибки обратной связи. 16
2.2.2.5 Измерение боковых сил. 16
2.2.3 Вибрационные и модуляционные методы измерений. 17
2.2.3.1 СТМ-методы. 18
Режим измерения локальной высоты барьера. 18
Режим спектроскопии. 20
2.2.3.2 АСМ-методы: 20
Бесконтактный режим. 20
Полуконтактный режим. 22
Режим измерения жесткости. 23
2.2.4 Схема взаимодействия компонентов. 24
2.2.5 Схема регистрации отклонения кантилевера. 25
3. ЗАКЛЮЧЕНИЕ. 26
4. ЛИТЕРАТУРА. 27
1.Введение
Сканирующий Зондовый Микроскоп (СЗМ) - это прибор, дающий возможность исследования свойств поверхностей материалов от микронного до атомарного уровня. В СЗМ существует три способа исследования поверхностей:
· Сканирующая туннельная микроскопия (СТМ)
· Сканирующая силовая микроскопия (ССМ)
· Близкопольная сканирующая микроскопия (БСМ).
СТМ был изобретен сотрудниками швейцарского филиала фирмы IВМ учеными Г.Биннигом и X. Рорером в 1981 г., а ССМ - Кэлвином Гвэйтом, Гердом Биннигом и Кристофером Гербером, в 1986г. Эти технологии оказались революционными в развитии исследований свойств поверхностей и в 1985 изобретение СТМ было отмечено присуждением нобелевской премии по физике первооткрывателям - Г. Биннигу и X. Рореру. (Рис. 2). Очевидно, что наличие различных объектов между зондоми проводящей поверхностью будет существенно влиять на вероятность туннелирования и, соответственно, на величину туннельного тока. Это в некоторых случаях может мешать получить рельеф проводника а в некоторых случаях позволяет исследовать свойства пленок, нанесенных на проводящую подложку СТМ-изображение определяется как рельефом исследуемой поверхности так и ее лектронными свойствами. Если исследуется либо загрязненная поверхность, либо специально нанесенные объекты на проводящую подложку, то СТМ-изображение определяется не только рельефом исследуемого образца, но и локальными электронными свойствами поверхности. Например, участок проводника, покрытый неэлектропроводной пленкой, может выглядеть на СТМ изображении как провал, хотя на самом деле, это может быть выступ (Рис.3). (Рис. 3). Также при исследовании атомарно - гладких поверхностей положение пинов на изображении может не совпадать с положением атомов. Таким образом, результаты СТМ-исспедований неоднородных поверхностей нельзя рассматривать как изображения рельефа поверхностей, следует иметь в виду, что на истинный рельеф как бы накладывается карта локальных электронных свойств объекта исследования и эта информация может оказаться весьма полезной. В приборе предусмотрены дополнительные возможности анализа локальных электронных свойств поверхности. Это измерение зависимостей It(Ut) и I(Z) и сканирование распределения величин dI/dU и dI/dz по поверхности образца. Эти характеристики могут дать дополнительную информацию об электронных свойствах поверхности, неоднородностях этих свойств, наличии резонансных уровней туннелирования. Зависимость I(Z) применяется, также, для определения качества иглы Сканирующие Зондовые Микроскопы российской компании НТ-МДТ моделей Р4-8РМ-16 и Р4-ЗРМ-18 дают возможность использовать практически все современные методики измерений, работая в режимах СТМ, ССМ и БСМ. Выбор методики измерения определяется свойствами исследуемого объекта и задачами пользователя (см. пункт 2.2). 2.2.Современные методы исследований СЗМ 2.2.1.Методики СТМ МетодикаОсобенностиСтандартнаяПолучение изображения рельефа (Следует иметь в виду, что в режиме СТМ картина рельефа поверхности по сути дела определяется условиями возникновения туннельного тока, величина которого является функцией не только расстояния, но и электронных свойств поверхности) проводящей поверхности или картины распределения туннельного тока при постоянной высоте иглы.Литографиялокальное воздействие на поверхность импульсами напряжения. Служит для изменения рельефа, физических и химических свойств проводящих поверхностей или пленок на поверхности.Сканирующая Туннельная Спектроскопия (СТС)измерение вольтамперных характеристик в заданных точках поверхности или регистрация распределения по поверхности величины dI/dU, содержащей информацию о локальной спектральной плотности электронных состояний. Прибор можно запрограммировать на снятие кривых I-U в каждой точке области и из собранных данных получить трехмерную картину электронной структуры области. Все указанные скачать реферат 1 2 3 4 ... последняя Не нашли нужную работу? Закажи реферат, курсовую, диплом на заказ Внимание! Студенческий отдых и мегатусовка после сессии!
Рефераты и/или содержимое рефератов предназначено исключительно для ознакомления, без целей коммерческого использования. Все права в отношении рефератов и/или содержимого рефератов принадлежат их законным правообладателям. Любое их использование возможно лишь с согласия законных правообладателей. Администрация сайта не несет ответственности за возможный вред и/или убытки, возникшие или полученные в связи с использованием рефератов и/или содержимого рефератов.
|
Обратная связь. |