Рефераты / Химия /

Не нашли нужную работу? Закажи реферат, курсовую, диплом на заказ

см-3 x, мкмerfc(z)N(x), см-3 001610192,52,120,0027161,6310170,50,420,5525323,32101932,540,0003281,968101610,850,2293321,37610193,52,960,0000281,6810151,51,270,0724864,35101843,380,0000017531,052101421,690,0168471,01210184,53,80,0000000774,621012 Полученные результаты используются для построения графика N = f(x) - примесного профиля. При построении профиля, как правило, используют полулогарифмический масштаб.

1.4.2 Диффузия из бесконечного источника примеси на поверхности пластины при Т=9500 С=1223 К, и времени диффузии 30 мин.=1800 с. Коэффициент диффузии галлия в кремнии при Т=9500 С, N0=31019см-3. Диффузия проходит согласно выражению (18).Дальнейший ход работы идет аналогично пункту 1.4.1. Заполняем расчетную таблицу.

Таблица 5 - Результаты расчета распределения галлия в кремнии x, мкмerfc(z)N(x), см-3 x, мкмerfc(z)N(x), см-3 001310190,12,050,0037421,12310170,020,410,5620311,686110190,122,460,0005031,50910160,040,820,2461897,38610180,142,870,0000491,4710150,061,230,081952,458510180,163,280,00000351,0510140,081,640,0203786,113410170,183,690,000000185,41012 Полученные результаты используются для построения графика N = f(x) - примесного профиля. При построении профиля, как правило, используют полулогарифмический масштаб.

1.4.3 Распределение примеси после перераспределения примеси накопленной в приповерхностном слое полупроводника при Т=950ОС=1223 К и времени диффузии 30мин=1800с. Условие перераспределения полностью отражающая граница. Т=1150ОС=1423 К, время 2 часа=7200с. Произведение D1t1 для процесса загонки равно: D1t1 = 3,31Ч10-15Ч1800= 5,958Ч10-12 см2 Коэффициент диффузии для процесса перераспределения примеси (Do =0,374 см2/с , DE = 3,41 эВ, T = 1423 K) равен D = 3,128 Ч 10-13 см2/с. Произведение D2t2 = 3,128Ч10-13Ч7200= 2,25Ч10-9 см2. D2t2 > D1t1 (в 377 раз), т.е. условия быстрой истощаемости источника, следовательно, пользуемся для расчета распределения примеси выражением (27). В первый столбец таблицы (6) заносим значения x, во второй значения exp(-x2/4D2t2), рассчитанные значения Ns заносим в третий столбец.

Таблица 6 - Результаты расчета распределения галлия в кремнии при диффузии из приповерхностного слоя. x, мкмNs , см-3x, мкмNs , см-301,09,823Ч10171,80,027422,693Ч10160,360,8668,507Ч10172,160,0056335,534Ч10150,720,56245,525Ч10172,520,00086818,527Ч10141,080,2742,69Ч10172,880,00019,854Ч10131,440,19,831Ч10163,240,00000878,541Ч1012 Полученные результаты используются для построения графика N = f(x) - примесного профиля.

Заключение.

В данном курсовом проекте были рассмотрены процесс очистки полупроводникового вещества зонная плавка и способ введения примеси в полупроводник диффузия примеси. Для процесса зонной плавки произведен расчет для трех очищаемых примесей: фосфор, галлий, сурьма. Результаты расчета представлены в виде таблиц и графиков: распределение удельного сопротивления и распределения каждой примеси вдоль слитка кремния после очистки зонной плавкой (один проход расплавленной зоной). Эффективность очистки зависит от скорости кристаллизации: чем меньше скорость кристаллизации в донной примеси, тем лучше она очищается, таким образом при Vкр0 kэффk0; Vкр kэфф1. Но это не означает, что если мы уменьшим скорость кристаллизации до нуля, то получим исходное вещество в чистом виде это лишь одно из условий очистки вещества. Определяющим является также равновесный коэффициент сегрегации (К0) , который отражает эффективность перераспределения между
Не нашли нужную работу? Закажи реферат, курсовую, диплом на заказ

Литература.

1. Готра З.Ю. Технология микроэлектронных устройств. Справочник. - М.: Радио и связь, 1991. -528 с. 2. Шишлянников Б.М. Физико-химические основы технологии микроэлектроники. Методические указания к курсовому проектированию для студентов направления 550700. Новгород, 1998. 41с. 3. Нашельский А.Я. Технология полупроводниковых материалов. - М.: Металлургия, 1972. - 432 с. 4. Реньян В.Р. Технология полупроводникового кремния / Пер. с англ. - М.: Металлургия, 1969. - 336 с. 5. МОП СБИС. Моделирование элементов и технологических процессов /Под ред. П. Антонетти и др.; Пер. с англ. - М.: Радио и связь. 1988. - 496 с.

скачать реферат

---

первая   ... 3 4 5 6